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芯片的誕生由兩個步驟決定，設(shè)計與生產(chǎn)。設(shè)計方面，上至北斗導(dǎo)航系統(tǒng)，下至各種手機，都有我國自行設(shè)計的芯片，但是在生產(chǎn)方面，卻一直有一道難以逾越的坎放在國產(chǎn)芯片行業(yè)面前——光刻膠。

舉一個簡單的例子，華為的麒麟990芯片，采用了7nm的工藝制造，由臺積電代工。這個7nm指的就是光刻工藝，華為沒有這樣的工藝所以只能由臺積電代工。不說華為，即使是CPU領(lǐng)域的巨頭AMD也是由臺積電代工。由此可見，光刻工藝的技術(shù)壁壘是多么的高。

光刻膠是光刻過程最重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對光刻工藝有著重要影響，其主要作用，是在光刻過程中，起到防腐蝕的保護作用。

目前全球光刻膠主要企業(yè)有日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、信越化學(xué)、美國羅門哈斯等，市場集中度非常高，所占市場份額超過85%。

光刻膠市場需求逐年增加，2018年全球半導(dǎo)體光刻膠銷售額12.97億美元，而國內(nèi)光刻膠需求量方面，2011年光刻膠需求量為3.51萬噸，到2017年需求量為7.99萬噸，年復(fù)合增長率達14.69%。

國內(nèi)光刻膠需求量遠(yuǎn)大于本土產(chǎn)量，且差額逐年擴大。由于中國大陸光刻膠市場起步晚，目前技術(shù)水平相對落后，生產(chǎn)產(chǎn)能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產(chǎn)品，TFT-LCD、半導(dǎo)體光刻膠等高技術(shù)壁壘產(chǎn)品產(chǎn)能極少。

光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)壁壘最高。

從技術(shù)水平來看，在PCB領(lǐng)域，國產(chǎn)光刻膠具備了一定的技術(shù)和量產(chǎn)能力，已經(jīng)實現(xiàn)對主流廠商大批量供貨。

技術(shù)門檻更高的 LCD 光刻膠，國內(nèi)也有所突破，主要企業(yè)有飛凱材料、永太科技、蘇州瑞紅（晶瑞股份 100%控股）和北京科華微電子（南大光電持股 31.39%）。

飛凱材料已經(jīng)在高端的濕膜光刻膠領(lǐng)域通過下游廠商驗證，CF光刻膠已經(jīng)通過華星光電驗證。

晶瑞股份（蘇州瑞紅）承擔(dān)了國家重大科技項目 02 專項“i 線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目并通過驗收，在國內(nèi)實現(xiàn)了 i 線（365nm）光刻膠量產(chǎn)，并在中芯國際、揚杰科技、士蘭微等知名半導(dǎo)體廠通過了單項測試和分片測試，取得了客戶的產(chǎn)品認(rèn)證。

同時，子公司蘇州瑞紅研發(fā)的 RZJ-325 系列光刻膠、高粘附性光刻膠RFJ-210G、TFT-Array 光刻膠部分產(chǎn)品、厚膜光刻膠 RZJ-T3520 等光刻膠產(chǎn)品也取得重大進展將逐步推向市場。

北京科華現(xiàn)代化光刻膠生產(chǎn)線主要以 g 線和 i 線正膠為主， 分辨率最高能夠達到 350nm 的水平。到 2009 年 5 月，建成 g/i 線正膠生產(chǎn)線（500 噸/年）和正膠配套試劑生產(chǎn)線（1000 噸/年）。

高分辨率的光刻膠是半導(dǎo)體化學(xué)品中技術(shù)壁壘最高的材料，日美企業(yè)技術(shù)領(lǐng)先國內(nèi)企業(yè)二十年至三十年。

住友化學(xué)已經(jīng)研制出適用于 ArF 浸入式光刻膠和 EUV 技術(shù)光刻膠，其中 EUV 技術(shù)的光刻膠應(yīng)用于 32 納米以下晶圓制造制程。

JSR 聯(lián)合日本微電子研究中心共同成立的 EUV 光刻膠制備和認(rèn)證中心，致力于實現(xiàn) EUV 光刻膠材料的量產(chǎn)應(yīng)用，預(yù)計 2020 年前實現(xiàn)批量供貨應(yīng)用于 7 納米及以下的晶圓制程，其產(chǎn)品技術(shù)布局行業(yè)最前沿。